在存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)制造過(guò)程中，需要進(jìn)行各種可靠性試驗(yàn)，其中高低溫沖擊試驗(yàn)就是一項(xiàng)重要的測(cè)試項(xiàng)目，下面，我們結(jié)合實(shí)際測(cè)試要求，來(lái)看看存儲(chǔ)芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)是怎么做的。

存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)流程：

試驗(yàn)設(shè)備：環(huán)儀儀器 存儲(chǔ)芯片高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)箱

試驗(yàn)條件：

高溫80℃：30min

低溫-40℃：30min

轉(zhuǎn)換時(shí)間：高溫和低溫變化在5min內(nèi)完成

試驗(yàn)評(píng)價(jià)方法：

1.在(新 MODEL)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段(DVT)，實(shí)施 100CYCLE 試驗(yàn)之后，決定下期階段進(jìn)行可能與否。

2.(量產(chǎn) MODEL)市場(chǎng)及工程發(fā)生品質(zhì)問(wèn)題時(shí)，生產(chǎn)技術(shù)科內(nèi)部選定另外 MODEL實(shí)施，試驗(yàn) CYCLE 基準(zhǔn)在1次100CYCLE 試驗(yàn)實(shí)施之后，確認(rèn)無(wú)異常時(shí)，進(jìn)行2 次 100 CYCLE 延長(zhǎng)試驗(yàn)

3.在試驗(yàn)之前，檢查樣品的表面狀態(tài)。

設(shè)備參數(shù)：

以上就是存儲(chǔ)芯片的高低溫?zé)釠_擊試驗(yàn)要求，如有試驗(yàn)疑問(wèn)，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。